型號(hào): | SMBJ11E3TR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | SMBJ11E3TR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ12E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ17CAE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ43CAE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ5.0CAE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ54CAE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBJ11HE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ11HE3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ11HE3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ12 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 12Vr 600W 30.2A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ12(C) | 制造商:BYTES 制造商全稱:Bytes 功能描述:SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |