| 型號(hào): | SMBG13TR |
| 廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù): | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 182K |
| 代理商: | SMBG13TR |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG64ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG90TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBJ15ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBG11CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG75CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBG14 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG14/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 14V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG14/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 14V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG14/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 14V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG14/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 14V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |