參數(shù)資料
型號(hào)： SM703
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 36K
代理商： SM703
S1A 3 DIE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
12
14
I
Id
gM
S1A 3 DICE CAPACITANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
S M 7 0 3 F r e q = 1 7 5 M H z , V D S = 2 8 V , I d q = 0 . 6 A
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
P i n i n W a t t s
10
11
12
13
14
15
16
Pout
Gain
Efficiency@100W = 75%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SM703
S1A 3 DIE IV
0
5
10
15
20
25
0
2
vg=2v
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VVDS IN VOLTS
I
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/28/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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PDF描述
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SMA16-2 Cascadable Amplifier 10 to 1200 MHz
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