參數(shù)資料
型號(hào)： SM6HT36A
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
中文描述： 高溫TRANSILTM為汽車(chē)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： SM6HT36A
I
IF
VF
VCL
VBR
VRM
IPP
IRM
V
Symbol
Parameter
V
RM
Stand-off voltage
V
BR
Breakdown voltage
V
CL
Clamping voltage
I
RM
Leakage current @ V
RM
I
PP
Peak pulse current
V
F
Forward voltage drop
V
F
< 3.5V @ I
F
= 50A
(pulse test: tp
≤
500
μ
s)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25°C unless otherwise specified)
Types
Marking
I
RM
@ V
RM
Tamb=150°C
V
BR
@ I
R
note2
nom
V
24
V
CL
@ I
PP
10/1000
μ
s
max
V
33.2
α
T
max
note 3
10
-4
/°C
9.4
Tamb=25°C
max
μ
A
2
max
μ
A
5
min
V
22.8
max
V
25.2
V
mA
1
A
SM6HT24A
EMB
20.5
18.0
SM6HT27A
EPB
2
5
23.1
25.7
27
28.4
1
37.5
16.0
9.6
SM6HT30A
ERB
2
5
25.6
28.5
30
31.5
1
41.5
14.5
9.7
SM6HT36A
EVB
2
5
30.8
34.2
36
37.8
1
49.9
12.0
9.9
SM6HT39A
EXB
2
5
33.3
37.1
39
41.0
1
53.9
11.1
10.0
SM6HT43A
EYB
2
5
36.8
40.9
43
45.2
1
59.3
10.1
10.1
Note 2 :
Pulse test : tp < 50 ms
Note 3 :
VBR =
α
T x (Tamb - 25) x VBR (25°C)
SM6HTxxA
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SM6HT39A HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
SM6HT43A HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
SM703 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SM706 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SM724 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SM6J45 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SM6J45A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
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