參數(shù)資料
型號： SM6HT30A
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
中文描述： 高溫TRANSILTM為汽車應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SM6HT30A
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Ppp[Tj initial] / Ppp[Tj initial=25°C]
Tj initial(°C)
Fig. 1-1:
Peak power dissipation versus initial junc-
tion temperature.
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
P(W)
Rth(j-a)=Rth(j-l)
Rth(j-a)=100°C/W
Tamb(°C)
Fig. 1-2:
Continous power dissipation versus am-
bient temperature.
0.01
0.10
1.00
10.00
0.1
1.0
10.0
Ppp(kW)
tp(ms)
Fig. 2:
Peak pulse power versus exponential pulse
duration (Tj initial=25°C).
10
100
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
Ipp(A)
tp=1ms
SM6HT24A
SM6HT30A
SM6HT27A
SM6HT36A
SM6HT39A
SM6HT43A
tp=20μs
Vcl(V)
Fig. 3:
Clamping voltage versus peak pulse cur-
rent (Tj initial=25°C).
1
10
100
200
100
200
500
1000
C(pF)
SM6HT24A
SM6HT30A
SM6HT27A
SM6HT36A
SM6HT39A
SM6HT43A
VR(V)
F=1MHz
Fig. 4:
Junction capacitance versus reverse ap-
plied voltage (typical values).
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.1
1.0
10.0
100.0
IFM(A)
Tj=25°C
Tj=175°C
VFM(V)
Fig. 5
: Peak forward voltage drop versus peak for-
ward current (typical values).
SM6HTxxA
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SM6HT36A HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
SM6HT39A HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
SM6HT43A HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
SM703 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SM706 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SM6HT36A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V Unidrect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SM6HT39A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 39V Unidrect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SM6HT43A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V Unidrect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SM6HTXXA 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
SM6J45 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
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