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參數(shù)資料
| 型號： | SM341 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | SM341 |
S3E 1 DIE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
S3E 1 DIE CAPACITANCE
10
1 0 0
1000
0
10
40
50
V D S I N V O L T S
Coss
Ciss
Crss
S M 3 4 1 F r e q = 1 7 5 M h z ; I d q = . 5 A , V d s = 5 0 V d c
0
40
80
120
160
200
240
0
5
10
15
20
P i n i n W a t t s
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
E fficiency = 55%
Pout
Gain
Linear @ 120W
P1dB = 200W
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SM341
S3E 1 DIE IV
0
5
10
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
vg=12v
Vg=6v
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
0
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 07/11/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM401 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SM6HTXXA | HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS |
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| SM6HT30A | HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS |
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參數(shù)描述 |
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