參數(shù)資料
型號(hào)： skw20n60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 快速的S - IGBT的不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)）
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 268K
代理商： SKW20N60
SKW20N60
9
Mar-00
t
r
,
R
100A/
μ
s
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0ns
100ns
200ns
300ns
400ns
500ns
600ns
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 40A
Q
r
,
R
100A/
μ
s
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 22. Typical reverse recovery charge
as a function of diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0nC
500nC
1000nC
1500nC
2000nC
2500nC
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 40A
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 21. Typical reverse recovery time as
a function of diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
I
r
,
R
100A/
μ
s
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0A
4A
8A
12A
16A
20A
24A
I
F
= 10A
I
F
= 40A
I
F
= 20A
d
r
/
,
D
O
100A/
μ
s
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0A/
μ
s
200A/
μ
s
400A/
μ
s
600A/
μ
s
800A/
μ
s
1000A/
μ
s
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 23. Typical reverse recovery current
as a function of diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 24. Typical diode peak rate of fall of
reverse recovery current as a function of
diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
skw30n60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SL1416T 160 RED, 4-DIGIT 16-SEGMENT ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER
SL15 TVSarray Series
SL15 Transient Voltage Suppressor 300 Watt
SL1814 112 RED, 8-DIGIT 17-SEGMENT ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER
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參數(shù)描述
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SKW20N60FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 40A 179W TO247-3
SKW20N60HS 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SKW20N60HS_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
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