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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SKM75GD123D |
| 廠(chǎng)商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Trench IGBT Modules |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D67, SEMITRANS 6, 17 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | SKM75GD123D |
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
SKM 75GD123D
3
26-09-2005 RAA
by SEMIKRON
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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