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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SKM75GB124D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Low Loss IGBT Modules |
| 中文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D 61, SEMITRANS 2, 7 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | SKM75GB124D |
Fig. 13 Typ. CAL diode recovered charge
UL Recognized
File no. E 63 532
Dimensions in mm
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This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
SKM 75GB124D
4
14-06-2005 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SKM75GDL123D | Trench IGBT Modules |
| SKM800GA125D | Ultrafast IGBT Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SKM75GB12T4 | 制造商:Semikron 功能描述:Bulk 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT HALFBRIDGE MODULE 75A 1200V 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT halfbridge module 115A 1200V |
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