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參數(shù)資料
| 型號： | SKM600GB066D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Trench IGBT Modules |
| 中文描述： | 760 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D5 6, SEMITRANS 3, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 945K |
| 代理商： | SKM600GB066D |
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT and Diode
Fig. 10 CAL diode forward characteristic
Fig. 11 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
Fig. 12 Typ. CAL diode recovered charge
SKM 600GB066D
5
05-09-2006 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SKM75GB128D | SPT IGBT Module |
| SKM75GB128D_06 | SPT IGBT Module |
| SKM75GB176D | Trench IGBT Modules |
| SKN30N | Semicell Diode |
| SKN45 | Rectifier Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SKM600GB066D_09 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SKM600GB126D | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE DUAL 1200V 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE, 1.2KV, 660A, SEMITRANS 3; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:660A; Collector Emitter Voltage Vces:2.15V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C; No. of Pins:7 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| SKM600GB126D_09 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Module |
| SKM60A-05 | 制造商:Mean Well 功能描述: |
| SKM60A-15 | 制造商:Mean Well 功能描述: |
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