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參數(shù)資料
| 型號： | SKM600GA126D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Trench IGBT Modules |
| 中文描述： | 660 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D 59, SEMITRANS 4, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 889K |
| 代理商： | SKM600GA126D |
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance
Fig. 10 CAL diode forward characteristic
Fig. 11 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery charge
SKM 600GA126D
4
11-09-2006 RAA
by SEMIKRON
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SKM600GB066D | Trench IGBT Modules |
| SKM75GB128D | SPT IGBT Module |
| SKM75GB128D_06 | SPT IGBT Module |
| SKM75GB176D | Trench IGBT Modules |
| SKN30N | Semicell Diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SKM600GA12E4 | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT SINGLE MODULE 600A 1200V |
| SKM600GA12E4_0906 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:IGBT4 Modules |
| SKM600GA12E4HD | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 913A; Transistor Polarity:NPN; DC Collector Current:913A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C; Operating Temperature Max:175C |
| SKM600GA12T4 | 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| SKM600GA12T4_09 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Fast IGBT4 Modules |
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