參數(shù)資料
型號(hào)： SKM400GAL176D
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Trench IGBT Modules
中文描述： 430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE D 57, SEMITRANS 3, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 773K
代理商： SKM400GAL176D
SEMITRANS
3
Trench IGBT Modules
SKM 400GB176D
SKM 400GAL176D
Preliminary Data
Features
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Typical Applications
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GB
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Characteristics
Symbol
Inverse Diode
Conditions
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This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
SKM 400GB176D
2
28-09-2007 ARW
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SKM400GB176D Trench IGBT Modules
SKM400GB066D High-ripple-rejection CMOS LDO Regulators for High-frequency Circuits; Output voltage (V): 3.3; Output current (mA): 150; Supply voltage (V): 2.5 to 5.5; I/O voltage difference (mV): 250; Ripple rejection (dB): 80; Circuit current (µA): 60; Package: HVSOF5
SKM400GB066D_06 Trench IGBT Modules
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參數(shù)描述
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