參數(shù)資料
型號(hào)： SKM300GB123D
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Modules
中文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 799K
代理商： SKM300GB123D
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
SKM 300GB123D
3
22-09-2005 RAA
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SKM300GB066D High-ripple-rejection CMOS LDO Regulators for High-frequency Circuits; Output voltage (V): 3.1; Output current (mA): 150; Supply voltage (V): 2.5 to 5.5; I/O voltage difference (mV): 250; Ripple rejection (dB): 80; Circuit current (µA): 60; Package: HVSOF5
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