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參數(shù)資料
| 型號： | SKM200GB128D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SPT IGBT Module |
| 中文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D56, SEMITRANS-7 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 721K |
| 代理商： | SKM200GB128D |
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive R
CC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature I
C
= f (T
C
)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (I
C
)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (R
G
)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
SKM 200GB128D
2
09-09-2005 RAA
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SKM300GAL063D | Superfast IGBT Modules |
| SKM300GB063D | Superfast IGBT Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SKM200GB128D | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE HALF BRIDGE |
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| SKM200GB12E4 | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT HALFBRIDGE MOD 200A 1200V 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT halfbridge module 314A 1200V |
| SKM200GB12E4_0906 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:IGBT4 Modules |
| SKM200GB12E4HD | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 314A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:314A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C; Operating Temperature Max:175C |
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