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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SKM150GB124D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Low Loss IGBT Modules |
| 中文描述： | 190 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 702K |
| 代理商： | SKM150GB124D |
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
SKM 150GB124D
3
14-06-2005 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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