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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SKDH116 |
| 廠商： | SEMIKRON |
| 英文描述： | MOSFET; ID (A): 0.02; VDS (V): 6; Pch : 0.1; |yfs| (S) typ: 0.024; PG (dB) typ: 24; Ciss (pF) typ: 1.75; NF (dB) typ: 1.5; IDSS (mA): -; Package: CMPAK-4 |
| 中文描述： | 三相整流橋IGBT的制動(dòng)斬波器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 1027K |
| 代理商： | SKDH116 |
Fig. 1 Power dissipation per module vs. output current
Fig. 2 Surge overload current vs. time
Fig. 3 Forward characteristic of single rectifier diode
Fig. 4 Forward characteristic of single thyristor
Fig. 5 Temperature sensor characteristic
Fig. 6 Typ gate charge characteristic
SKDH 116/.. -L100
2
18-10-2007 DIL
by SEMIKRON
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PDF描述 |
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