參數(shù)資料
型號： skb15n60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 快速的S - IGBT的不擴散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)）
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 301K
代理商： SKB15N60
SKP15N60
SKB15N60, SKW15N60
9
Mar-00
t
r
,
R
100A/
μ
s
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0ns
100ns
200ns
300ns
400ns
500ns
I
F
= 7.5A
I
F
= 15A
I
F
= 30A
Q
r
,
R
100A/
μ
s
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 22. Typical reverse recovery charge
as a function of diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0nC
500nC
1000nC
1500nC
2000nC
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
F
= 7.5A
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 21. Typical reverse recovery time as
a function of diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
I
r
,
R
100A/
μ
s
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0A
4A
8A
12A
16A
20A
I
F
= 7.5A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
d
r
/
,
D
O
100A/
μ
s
300A/
μ
s
500A/
μ
s
700A/
μ
s
900A/
μ
s
0A/
μ
s
200A/
μ
s
400A/
μ
s
600A/
μ
s
800A/
μ
s
1000A/
μ
s
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 23. Typical reverse recovery current
as a function of diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 24. Typical diode peak rate of fall of
reverse recovery current as a function of
diode current slope
(
V
R
= 200V,
T
j
= 125
°
C)
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PDF描述
SKP15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SKW15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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