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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SK30GD123 |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | 33 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE T 12, SEMITOP 3, 11 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 568K |
| 代理商： | SK30GD123 |
Fig.5 Typ. output characteristic, t
p
= 80 μs, 25 °C
Fig.6 Typ. output characteristic, t
p
= 80 μs, 125 °C
Fig.7 Turn-on / -off energy = f (I
C
)
Fig.8 Turn-on / -off energy = f (R
G
)
Fig.9 Typ. gate charge characteristic
Fig.10 Typ. capacitances vs. V
CE
SK 30 GD 123
2
19-10-2005 RAM
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SK33E | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SK34E | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SK36E | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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