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參數(shù)資料
| 型號： | SK20GD123 |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | 23 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE T 12, SEMITOP 3, 11 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 531K |
| 代理商： | SK20GD123 |
Fig.11 Typ. switching times vs. I
C
Fig.12 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig.13 Diode turn-off energy dissipation per pulse
SK 20 GD 123
3
19-10-2005 RAM
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SK25DGD065ET | 3-phase bridge rectifier + 3-phase bridge inverter |
| SK25GAD063T | IGBT Module |
| SK25GB065 | IGBT Module |
| SK30GD123 | IGBT Module |
| SK32E | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SK20GD123_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:IGBT Module |
| SK20GH065 | 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| SK20GH065_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:IGBT Module |
| SK20GH065_09 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:IGBT Module |
| SK20GH123 | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE H BRIDGE 1200V 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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