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STI5197-CBB

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  • STI5197-CBB
    STI5197-CBB

    STI5197-CBB

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • BGA

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STI5197-CBB
    STI5197-CBB

    STI5197-CBB

  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯(lián)系人：吳先生/吳小姐/朱先生

    電話：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票

  • 7500

  • ST

  • BGA

  • 2020+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨 渠道優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 假一罰十

  • STI5197-CBB
    STI5197-CBB

    STI5197-CBB

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • 最新批號(hào)

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  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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STI5197-CBB 技術(shù)參數(shù)
  • STI4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:550pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI45N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI400N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:377nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS STIEC45-33ACS STIEC45-33AS
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