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STI400N4F6

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STI400N4F6
    STI400N4F6

    STI400N4F6

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STI400N4F6
    STI400N4F6

    STI400N4F6

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • I2PAK(TO-262)

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存,400-800-03...

  • STI400N4F6
    STI400N4F6

    STI400N4F6

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STI400N4F6
    STI400N4F6

    STI400N4F6

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 62086

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 優(yōu)勢(shì)代理,公司現(xiàn)貨可開票

  • STI400N4F6
    STI400N4F6

    STI400N4F6

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • I2PAK

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
STI400N4F6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • DeepGATE?,STripFET? VI
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 120A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 1.7 毫歐 @ 60A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 377nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 20000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 300W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • I2PAK(TO-262)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
STI400N4F6 技術(shù)參數(shù)
  • STI360N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):340nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):17930pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK(TO-262) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2700pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP(TO-281) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK(TO-262) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI6N90K5 STI76NF75 STI8N65M5 STI90N4F3 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS
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