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CMLDM7003G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CMLDM7003G TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

CMLDM7003G TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
93001
Central Semiconductor Cor
SOT-563, SOT-666
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

CMLDM7003G TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
100602
Central Semiconductor Cor
SOT-563, SOT-666
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

CMLDM7003G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
CENTRAL
SOT-563
15+
-
原裝正品，假一罰十

CMLDM7003G TR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
CENTRAL S
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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CMLDM7003G PDF下載

制造商
CENTRAL
制造商全稱
Central Semiconductor Corp
功能描述
SURFACE MOUNT PICOminiTM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

CMLDM7003G 技術(shù)參數(shù)

CMLDM7003 TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7002AJ TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7002AG TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM5757 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM3757 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:540mA，430mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 540mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM8120G TR CMLHPB111-1REC4-34606-3-V CMLHPB111-1RLS4-37029-250 CMLHPB111-1RLS4-40526-300 CMLHPB11-1REC4-34606-2-V CMLHPB11-1REC4-40599-225-V CMLHPB11-1RLS4-37029-200 CMLHPB11-1RLS4-40599-175-V CMLHPB11-1RLS4-40599-200-V CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T

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