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CMLDM8120G TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CMLDM8120G TR
    CMLDM8120G TR

    CMLDM8120G TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CMLDM8120G TR PBFREE
    CMLDM8120G TR PBFREE

    CMLDM8120G TR PBFREE

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 194530

  • Central Semiconductor

  • SOT-563

  • 20+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • CMLDM8120G TR
    CMLDM8120G TR

    CMLDM8120G TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 28350

  • CENTRAL S

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CMLDM8120G TR
    CMLDM8120G TR

    CMLDM8120G TR

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Central Semiconductor Cor

  • MOSFET P-CH 20V 0.86

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
CMLDM8120G TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 860mA（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 150 毫歐 @ 950mA，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 3.56nC(4.5V)
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 200pF @ 16V
  • 功率 - 最大值
  • 150mW
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-563
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CMLDM8120G TR 技術(shù)參數(shù)
  • CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:650mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:650mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7484 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:450mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175
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