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BSC024N025SG
深圳市源運電子商行
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聯(lián)系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓
45000
INF
TDSON-8
16+
-

BSC024N025SG
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
P-DSO-8
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSC024N025SG
深圳市華芯源電子有限公司
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聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
21369
INFINEON/英飛凌
SuperSO8
22+
-

BSC024N025SG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
INFINEON
QFN
05+
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假一罰十，百分百原裝正品

BSC024N025SG
深圳市澳億芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Infineon
TDSON-8
假一賠十！
-
絕對原裝現(xiàn)貨??！

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深圳市時興宇電子有限公司
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聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
15000
INFINEON
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12+
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絕對公司原裝現(xiàn)貨

BSC024N025SG
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
59990
infineon/
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100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

BSC024N025SG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
29995
INFINEON/
DFN-85X6
08+
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全新原裝現(xiàn)貨

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

BSC024N025SG 技術(shù)參數(shù)

BSC024N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6530pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC022N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC022N03SG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8290pF @ 15V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC022N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:58nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7490pF @ 15V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC020N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9600pF @ 15V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC027N03S G BSC027N04LSGATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1

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