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BSC030P03NS3GAUMA1

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  • BSC030P03NS3GAUMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 330443

  • INFINEON

  • con

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSC030P03NS3GAUMA1
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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 17782

  • INFINEON

  • SMD

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  • 優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • BSC030P03NS3GAUMA1
    BSC030P03NS3GAUMA1

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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 14200

  • INFINEON

  • TDSON-8

  • 2022+

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  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • BSC030P03NS3GAUMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 330443

  • INFINEON

  • con

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSC030P03NS3GAUMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 330443

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSC030P03NS3GAUMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 原廠封裝

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  • BSC030P03NS3GAUMA1
    BSC030P03NS3GAUMA1

    BSC030P03NS3GAUMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

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  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC030P03NS3GAUMA1
    BSC030P03NS3GAUMA1

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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
BSC030P03NS3GAUMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC030P03NS3 G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25.4A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 345μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC030N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 95μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC030N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 49μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 20V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC030N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5700pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC030N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS BSC039N06NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03S G BSC042N03ST BSC042NE7NS3GATMA1 BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1
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