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ATP19

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  • ATP19SL3712B0SA03Q
    ATP19SL3712B0SA03Q

    ATP19SL3712B0SA03Q

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

  • 105

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  • con

  • 24+

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • ATP19SL1512B0SA03Q
    ATP19SL1512B0SA03Q

    ATP19SL1512B0SA03Q

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 150

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  • 現(xiàn)貨！就到京北通宇商城

  • ATP19-SL1-324-B0SE-03Q
    ATP19-SL1-324-B0SE-03Q

    ATP19-SL1-324-B0SE-03Q

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 464740

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • ATP19SL3712B0SA03Q
    ATP19SL3712B0SA03Q

    ATP19SL3712B0SA03Q

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 105

  • C&K COMPONENTS

  • con

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • ATP190019
    ATP190019

    ATP190019

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • ATP19SL0000B0SA03Q
    ATP19SL0000B0SA03Q

    ATP19SL0000B0SA03Q

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 200

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ATP19 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • AMERICAN DJ
  • 功能描述
  • STACKABLE EQUIPMENT CASE 19 X 12 X 14 INCH
ATP19 技術(shù)參數(shù)
  • ATP114-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP113-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29.5 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP112-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:79.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK
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