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ATP208-TL-H

配單專家企業(yè)名單
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  • ATP208-TL-H
    ATP208-TL-H

    ATP208-TL-H

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • ATP208-TL-H
    ATP208-TL-H

    ATP208-TL-H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 13125

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • ATP208-TL-H
    ATP208-TL-H

    ATP208-TL-H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6550

  • ON

  • ROHS

  • 201311+

  • -

  • 原裝正品，現貨庫存！400-800-03...

  • ATP208-TL-H
    ATP208-TL-H

    ATP208-TL-H

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 69200

  • ON

  • SANYO

  • 18+

  • -

  • 全新原裝，優(yōu)勢庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
ATP208-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET SWITCHING DEVICE
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ATP208-TL-H 技術參數
  • ATP207-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2710pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP207-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP206-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP204-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4600pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP203-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2750pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y
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