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APT80GP60JDQ3

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話(huà)：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • ISOTOP

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  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • APT80GP60JDQ3
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  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Microsemi

  • 原廠(chǎng)封裝！

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APT80GP60JDQ3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube
APT80GP60JDQ3 技術(shù)參數(shù)
  • APT80GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:151A 功率 - 最大值:462W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，80A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.84nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA90LD40 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:1652μJ（開(kāi)），1389μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/149ns 測(cè)試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:1652μJ（開(kāi)），1389μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/149ns 測(cè)試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:840μJ（開(kāi)），751μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:230nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:23ns/158ns 測(cè)試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:840μJ（開(kāi)），751μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:230nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:23ns/158ns 測(cè)試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC
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