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APT80M60J

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • APT80M60J
    APT80M60J

    APT80M60J

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT80M60J
    APT80M60J

    APT80M60J

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • APT80M60J
    APT80M60J

    APT80M60J

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • APT

  • 80A/600V/MOS/1U

  • 2025+

  • -

  • 全新現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

  • APT80M60J
    APT80M60J

    APT80M60J

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • SOT-227

  • 08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • APT80M60J
    APT80M60J

    APT80M60J

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
APT80M60J PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • POWER MOS 8™
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APT80M60J 技術參數(shù)
  • APT80GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:151A 功率 - 最大值:462W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，80A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.84nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT80GA90LD40 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:1652μJ（開），1389μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:200nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/149ns 測試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT80GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:1652μJ（開），1389μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:200nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/149ns 測試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT80GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:840μJ（開），751μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:230nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/158ns 測試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:840μJ（開），751μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:230nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/158ns 測試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC
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