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封裝
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APT40M70LVR
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話(huà)：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
31518
APT
NULL
22+
-
原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨

APT40M70B2VR
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT40M70JVR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴(lài)先生
電話(huà)：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
13492
APT
直插/貼片
2025+
-
絕對(duì)現(xiàn)貨

APT40M70JVR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話(huà)：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APT40M70JVFR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！！

APT40M70B2VFRG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
APT
T-MAX?[B2]
08+
-

APT40M70JVFR
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生
電話(huà)：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
30147
Microsemi Corporation
SOT-227-4, miniBLOC
25+
-
全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

APT40M70B2VFRG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
APT
T-MAX?[B2]
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT40M70LVR
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT40M70LVRG
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話(huà)：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門(mén)外大街9號(hào)樓603室
25
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存F

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APT40M70 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APT40M70 技術(shù)參數(shù)

APT40M42JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:86A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:760nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 43A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M35JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:93A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 46.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1065nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20160pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:345W 開(kāi)關(guān)能量:828μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/124ns 測(cè)試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 開(kāi)關(guān)能量:1.38mJ（開(kāi)），906μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:22ns/163ns 測(cè)試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120B2SCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 開(kāi)關(guān)能量:929μJ（開(kāi)），1070μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:20ns/166ns 測(cè)試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J

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