APT45GR65B2DU30

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT45GR65B2DU30
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
isc,iscsemi
PLUS247,T-Max
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

APT45GR65B2DU30
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

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您是不是要找： APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G

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功能描述
IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2]
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
118A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
224A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
2.4V @ 15V，45A
功率 - 最大值
543W
開關(guān)能量
*
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
203nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
15ns/100ns
測試條件
433V，45A，4.3 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
80ns
封裝/外殼
TO-247-3
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
T-MAX? [B2]
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT45GR65B2DU30 技術(shù)參數(shù)

APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ（開），580μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.94nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ（開），904μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:18ns/102ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ（開），905μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:18ns/100ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG