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APT40GP60SG

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APT40GP60SG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT
標準封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT40GP60SG
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
87913
Microsemi Corporation
TO-268-3, D魯Pak (2 L
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

APT40GP60SG
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
94763
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

APT40GP60SG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT
標準封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT40GP60SG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT
標準封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT40GP60SG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
IGBT 600V 100A 543W D3PAK
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT40GP60SG 技術參數

APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.61nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT40GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關能量:385μJ（開），352μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:135nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/64ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT40GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關能量:385μJ（開），350μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:135nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/64ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT40GLQ120JCU2 功能描述:POWER MOD 1200V 80A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40GL120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 65A 220W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.25V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.95nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B

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