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AOT10T60

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

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    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

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AOT10T60 技術(shù)參數(shù)
  • AOT10N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1645pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT10N60L 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT10N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOT10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT10B65M2 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 開(kāi)關(guān)能量:180μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/91ns 測(cè)試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT11S60L AOT11S65L AOT12N30L AOT12N40L AOT12N50 AOT12N60 AOT12N60_001 AOT12N60FD AOT12N65 AOT12N65_001 AOT13N50 AOT1404L AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1 AOT15S60L AOT15S65L
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