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AOT12N65_001

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AOT12N65_001 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 30V TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態(tài)
最後搶購(gòu)
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
12A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
48nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
2150pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
720 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

AOT12N65_001 技術(shù)參數(shù)

AOT12N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT12N60FD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2010pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT12N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:278W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOT12N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT12N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1633pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT1608L AOT16N50 AOT1N60 AOT20B65M1 AOT20C60 AOT20C60L AOT20C60PL AOT20N25L AOT20N60L AOT20S60L AOT210L AOT2142L AOT22N50L AOT240L AOT2500L AOT2502L AOT254L AOT25S65L