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參數資料
| 型號： | SIR-481ST3F/P |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | SIR-481ST3F/P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR-482ST3F/LM | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| SIR-567ST3F/LM | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SIR-567ST3F/MN | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SIM-22ST/MN | 1.5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SIM-20SB/KL | 1.85 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SIR482DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIR484DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR484DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIR492DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SIR492DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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