| 型號： | SIHG24N65E-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 24A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫歐 @ 12A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 122nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2740pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-247AC |
| 包裝： | 管件 |