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參數(shù)資料
| 型號： | SIGC25T60UN |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | HIGHT SPEED IGBT CHIP IN NPT-TECHNOLOGY |
| 中文描述： | HIGHT高速IGBT的芯片在不擴散核武器條約技術 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | SIGC25T60UN |
SIGC25T60UN
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7262-U, Edition2, 28.11.2003
High Speed IGBT Chip in NPT-technology
FEATURES:
low Eoff
600V NPT technology
100μm chip
short circuit prove
positive temperature coefficient
easy paralleling
Chip Type
V
CE
This chip is used for:
SGP30N60HS
Applications:
Welding
PFC
UPS
G
C
E
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
Q67041-A4667-
A001
SIGC25T60UN
600V
30A
4.5 x 5.71 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
4.5 x 5.71
Area total / active
25.7 / 20.7
Emitter pad size
2x( 2.18x1.58 )
Gate pad size
1.08 x 0.68
mm
2
Thickness
100
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
90
deg
Max.possible chips per wafer
566
Passivation frontside
Photoimide
Emitter metallization
3200 nm Al Si 1%
Collector metallization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIGC28T60 | IGBT3 Chip |
| SIGC32T120R3L | IGBT3 Chip |
| SIGC42T170R3G | IGBT3 Chip |
| SIGC42T170R3GG | IGBT3 Chip |
| SIGC32T120R3 | IGBT3 Chip |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIGC28T60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC28T60SZJ | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A Die |
| SIGC32T120R3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC32T120R3L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC39T60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
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