參數(shù)資料
型號: SIDC09D60F6
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: 3 X 3 MM, DIE-1
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 101K
代理商: SIDC09D60F6
SIDC09D60F6
Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L4304M, Edition 2.1, 09.03.2010
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
Tvj = 25 °C
600
V
Continuous forward current
IF
Tvj < 150°C
1 )
Maximum repetitive forward current
IFRM
Tvj < 150°C
60
A
Junction temperature range
Tvj
-40...+175
°C
Operating junction temperature
Tvj
-40...+150
°C
Dynamic ruggedness
)
Pmax
IFmax = 60A, VRmax = 600V,
Tvj
≤ 150°C
tbd
kW
1 ) depending on thermal properties of assembly
2 ) not subject to production test - verified by design/characterisation
Static Characteristic (tested on wafer), Tvj = 25 °C
Value
Parameter
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
Reverse leakage current
IR
VR=600V
27
A
Cathode-Anode
breakdown Voltage
VBR
IR=1.5mA
600
V
Diode forward voltage
VF
IF=30A
1.6
V
Further Electrical Characteristics
Switching characteristics and thermal properties are depending strongly on module design and mounting
technology and can therefore not be specified for a bare die.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SJ5186 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SJ5188 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SX5186 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SX5188 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SX5190 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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SIDC10D120H6 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 15A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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