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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SIDC05D60SIC3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | SIDC05D60SIC3 |
SIDC05D60SIC3
Edited by INFINEON Technologies, AI PS DD HV3, Edition 1, 22.04.2004
Silicon Carbide Schottky Diode
FEATURES:
Worlds first 600V Schottky diode
Revolutionary semiconductor material -
Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on the switching
behavior
Ideal diode for Power Factor Correction
No forward recovery
Chip Type
Applications:
SMPS, PFC, snubber
A
C
V
BR
I
Die Size
Package
Ordering Code
Q67050-A4201-
A103
SIDC05D60SIC3
600V
2A
0.84 x 0.59 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
0.84 x 0.59
Anode pad size
0.632 x 0.382
mm
Area total / active
0.496 / 0.255
mm
2
Thickness
355
μm
Wafer size
75
mm
Flat position
0
deg
Max. possible chips per wafer
7970 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
125μm
Reject Ink Dot Size
≥
0.2 mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
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