參數(shù)資料
型號： SI9955DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 3 A, 50 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 246K
代理商： SI9955DY
S
Si9955DY Rev. A
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9
Notes:
1.
R
θ
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
JA
is determined by the user's board design.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2.
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
a) 78
°
C/W when
mounted on a 0.5 in
2
pad of 2 oz. copper.
b) 125
°
C/W when
mounted on a 0.02 in
2
pad of 2 oz. copper.
c) 135
°
C/W when
mounted on a 0.003 in
2
pad of 2 oz. copper.
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PDF描述
SK100DA120D NPN POWER DARLUNGTON MODULES 100A 1200V
SK100DAL100D NPN POWER DARLUNGTON MODULES 100A 1000V
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參數(shù)描述
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SI9956DYT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI9956DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI9958DY 功能描述:MOSFET 20V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9958DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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