參數(shù)資料
型號(hào)： SI9926BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道2.5V（G-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 182K
代理商： SI9926BDY
SPICE Device Model Si9926BDY
Vishay Sil
iconix
www.vishay.com
2
Document Number: 72413
01-Jun-04
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
0.96
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
394
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 8.2 A
0.015
0.016
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 3.3 A
0.022
0.024
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 8.2 A
26
29
S
Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 1.7 A, V
GS
= 0 V
0.80
0.80
V
Total Gate Charge
Q
g
10
11
Gate-Source Charge
Q
gs
2.5
2.5
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 8.2 A
3.2
3.2
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
50
35
Rise Time
t
r
32
50
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
24
31
Fall Time
t
f
V
DD
= 10 V, R
L
= 10
I
D
1 A, V
GEN
= 10 V, R
G
= 6
14
15
ns
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9926ADY Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9926DY Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9934BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934BDY-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9926BDY-E3 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926BDYT1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI9926BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
SI9926BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20 Volt 8.2 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.2A 2.0W 20mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*