參數(shù)資料
型號： SI9804DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： SI9804DY
Si9804DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70626
S-54699—Rev. B, 01-Sep-97
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
0
50
100
150
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 7.8 A
I
D
= 250 A
0
0.4
10
0.8
1.2
1.4
1
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
10
–4
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 50 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0.1
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
50
V
V
G
0.2
0.6
1.0
0
80
100
20
40
60
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PDF描述
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