參數(shù)資料
型號(hào)： SI9803DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET
中文描述： P通道減少Q(mào)g和快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI9803DY
Si9803DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2
Document Number: 70638
S-49559—Rev. C, 11-Feb-98
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
–0.6
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= –25 V, V
GS
= 0 V
–1
A
V
DS
= –25 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 70 C
–5
On-State Drain Current
b
I
D(on)
V
DS
–5 V, V
GS
= –4.5 V
–40
A
Drain-Source On-State Resistance
b
r
DS(on)
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.9 A
0.033
0.040
V
GS
= –3.0 V, I
D
= –4.8 A
0.044
0.060
Forward Transconductance
b
g
fs
V
DS
= –9 V, I
D
= –5.9 A
18
S
Diode Forward Voltage
b
V
SD
I
S
= –2.1 A, V
GS
= 0 V
–0.75
–1.2
V
Dynamic
a
Total Gate Charge
Q
g
V
DS
= –10 V V
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.9 A
4 5 V I
5 9 A
15.8
25
Gate-Source Charge
Q
gs
3.0
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
5.4
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
= –10 ,
= 10
1 A V
–1 A, V
GEN
= –4.5 V, R
G
= 6
20
40
Rise Time
t
r
I
D
4 5 V R
30
60
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
53
100
ns
Fall Time
t
f
31
60
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= –2.6, di/dt = 100 A/ s
80
120
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
300 s, duty cycle
2%.
For design aid only; not subject to production testing.
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PDF描述
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