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參數(shù)資料
| 型號： | SI9400DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | SI9400DY |
Si9400DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70119
S-55458—Rev. K, 02-Mar-98
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
0.01
0
80
100
20
60
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
2
4
6
8
10
–1
–0.5
0.0
0.5
1.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 2.5 A
20
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
Single Pulse
0.02
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
V
V
G
40
10
I
D
= 250
μ
A
10
0.001
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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