參數(shù)資料
型號： SI8402DB-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 20 - V N -通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/6頁
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代理商： SI8402DB-T1
Si8402DB
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
6
Document Number: 72657
S-32557—Rev. A, 15-Dec-03
PACKAGE OUTLINE
MICRO FOOT: 4-BUMP (2 X 2, 0.8-mm PITCH)
NOTES (Unless Otherwise Specified):
5.
6.
7.
8.
Laser mark on the silicon die back, coated with a thin metal.
Bumps are Eutectic solder 63/57 Sn/Pb.
Non-solder mask defined copper landing pad.
The flat side of wafers is oriented at the bottom.
Bump Note 2
8402
XXX
Recommended Land
Mark on Backside of Die
Silicon
4
Note 3
Solder Mask
0.30
0.31
0.40
b Diamerter
e
e
A
A
2
A
1
e
S
D
e
S
E
MILLIMETERS*
INCHES
Dim
Min
Max
Min
Max
A
A
1
A
2
b
D
E
e
S
0.600
0.650
0.0236
0.0256
0.260
0.290
0.0102
0.0114
0.340
0.360
0.0134
0.0142
0.370
0.410
0.0146
0.0161
1.520
1.600
0.0598
0.0630
1.520
1.600
0.0598
0.0630
0.750
0.850
0.0295
0.0335
0.370
0.380
0.0146
0.0150
* Use millimeters as the primary measurement.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI8417DB P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI8440 QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
SI8440-A-IS QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
SI8440-B-IS QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
SI8440-C-IS QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
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參數(shù)描述
SI8402DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 20V 6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8402DB-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI-8402L 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil
SI-8403L 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil
SI8404DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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