參數資料
型號： SI7958DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N通道40V（D-S）MOSFET
文件頁數： 4/5頁
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代理商： SI7958DP
Si7958DP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72661
S-32677—Rev. A, 29-Dec-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0
60
100
20
40
P
Single Pulse Power
Time (sec)
80
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 60 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
100
600
0.01
0.001
1
10
Safe Operating Area, Junction-To-Ambient
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
0.1
P(t) = 10
dc
P(t) = 1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.1
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