參數(shù)資料
型號(hào)： SI7901EDN
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： SI7901EDN
TrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated
ESD Protected: 4500 V
Ultra-Low Thermal Resistance, PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
Bidirectional Switch
Si7901EDN
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71430
S-03710—Rev. A, 14-May-01
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.048 @ V
GS
= –4.5 V
–6.3
–20
0.068 @ V
GS
= –2.5 V
–5.3
0.090 @ V
GS
= –1.8 V
–4.6
1
2
3
4
5
6
7
8
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
3.30 mm
3.30 mm
Bottom View
PowerPAK 1212-8
P-Channel MOSFET
S
1
D
1
G
1
3 k
P-Channel MOSFET
S
2
D
2
G
2
3 k
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
–6.3
–4.3
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
–4.5
–3.1
Pulsed Drain Current
I
DM
–20
A
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.3
–1.1
T
A
= 25 C
2.8
1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
1.5
0.7
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
35
44
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
75
94
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
4
5
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7902EDN ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits
SI7909DN Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7911DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7911DN-T1 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7921DN Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7901EDN-T1 功能描述:MOSFET 20V 6.3A 1.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7901EDN-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7901EDN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7902EDN 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI7904BDN 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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