| 型號(hào): | SI7858DP |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述: | N溝道12 V的(副)MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商: | SI7858DP |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7860ADP | N-Channel Reduced, Fast Switching MOSFET |
| SI7860DP | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| Si7866DP | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI7868ADP | Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison |
| SI7868DP | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI7858DP-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 18A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
| SI7858DP-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 18A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
| SI786 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual-Output Power-Supply Controller |
| SI7860ADP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced, Fast Switching MOSFET |
| SI7860ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |