參數(shù)資料
型號(hào)： SI7461DP-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： SI7461DP-T1-E3
Si7461DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72567
S-40411—Rev. C, 15-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0
2
4
6
8
10
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
125
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
0
10
20
30
40
50
60
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 14.4 A
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 14.4 A
70
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I
S
V
GS
= 4.5 V
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7464DP N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7478DP N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7478DP-T1-E3 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7485DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7485DP-T1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7461DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7462DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
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SI7462DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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