| 型號(hào): |
SI7222DN-T1-GE3 |
| 廠商: |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù): |
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| 文件大?。?/td>
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| 描述: |
MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
| 系列: |
TrenchFET® |
| FET 型: |
2 個(gè) N 溝道(雙)
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
40V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
6A
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| 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
42 毫歐 @ 5.7A,10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
1.6V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
29nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
700pF @ 20V
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| 功率 - 最大: |
17.8W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? 1212-8 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? 1212-8 Dual
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| 包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱: |
SI7222DN-T1-GE3DKR
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